配線工程またはバックエンドback end of lineBEOL)とは、半導体製造における2番目の工程であり、それぞれのデバイス(トランジスタ、キャパシタ、抵抗など)がメタル層によって配線される。 配線材料として以前はアルミニウム配線が使われていたが、その後銅配線に置き換わった 。 ウェハー上に最初のメタル層が成膜されてからがBEOLである。

BEOLのステップ:

  1. ソース領域とドレイン領域、またポリシリコン領域をシリサイド化する。
  2. 絶縁層(プリメタル絶縁膜(PMD)、メタルをシリコンとポリシリコンから分離する)を作り、CMP研磨を行う。
  3. PMDにホールを作る。
  4. メタル層1を作る。
  5. 2番目の絶縁層(配線間層間膜)を作る。
  6. 下層のメタルと上層のメタルを接続するために、絶縁層にビアホールを作る。ビアはCVDプロセスで埋められる。
    4–6をくり返す。
  7. マイクロチップを保護するため、パッシベーション膜を作る。

関連項目

  • 基板工程
  • 集積回路

引用

参考文献

  • “Chapter 11: Back End Technology”. Silicon VLSI Technology: Fundamentals, Practice, and Modeling. Prentice Hall. (2000). pp. 681–786. ISBN 0-13-085037-3 
  • “Chapter 7.2.2: CMOS Process Integration: Backend-of-the-line Integration”. CMOS: Circuit Design, Layout, and Simulation. Wiley-IEEE. (2010). pp. 199–208 [177–79]. ISBN 978-0-470-88132-3. https://books.google.com/books?hl=en&lr=&id=N0XgLh2d2pkC 

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